قامت شركة Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation بتوسيع سلسلة U-MOS XH الخاصة بها مع وحدات MOSFET ذات الطاقة 80 فولت N-channel الجديدة المصممة بأحدث عملية جيل. تتضمن المجموعة الموسعة " TPH2R408QM " الموجود في SOP Advance ، وهو عبارة عن عبوة من النوع المثبت على السطح ، و " TPN19008QM " الموجودة في حزمة TSON Advance.
تتميز منتجات U-MOS XH الجديدة بجهد 80 فولت بمقاومة مصدر تصريف أقل بنسبة 40٪ مقارنة بالجيل الحالي. لديهم أيضًا مفاضلة محسّنة بين مقاومة مصدر التصريف وخصائص شحنة البوابة بسبب هيكل الجهاز الأمثل.
ميزات TPH2R408QM و TPN19008QM
|
معامل |
TPH2R408QM |
TPN19008QM |
|
جهد مصدر الصرف (Vds) |
80 فولت |
80 فولت |
|
استنزاف الحالي |
120 أ |
120 أ |
|
على المقاومة @ Vgs = 6V |
3.5 متر مكعب |
28 متر مكعب |
|
رسوم تبديل البوابة |
28nC |
5.5nC |
|
سعة الإدخال |
5870pF |
1020pF |
|
صفقة |
SOP |
تسون |
مع أقل تبديد للطاقة ، فإن وحدات MOSFET الجديدة هذه مناسبة لتبديل إمدادات الطاقة في المعدات الصناعية مثل محولات AC-DC عالية الكفاءة ، ومحولات DC-DC ، وما إلى ذلك التي تُستخدم في المراكز ومحطات قواعد الاتصالات وأيضًا في معدات التحكم في المحركات. لمزيد من المعلومات حول TPH2R408QM و TPN19008QM ، قم بزيارة صفحة المنتج.